다이오드 특성 결과보고서

안녕하세요!! 행복한 콘텐츠 마케터 입니다.

오늘은 해피캠퍼스에서 발췌한 “다이오드 특성 결과보고서” 내용을 정리하여 알려드립니다.

목차

Ⅰ. 실험 결과
Ⅱ. 결과 분석 및 고찰
Ⅲ. 참고 문헌

 

본문내용일부

Ⅰ. 실험 결과
1. 다이오드 검사
다이오드 검사 단자
DMM의 다이오드 검사 기능을 사용하여 다이오드의 동작 상태를 파악할 수 있다. DMM을 다이오드에 제대로 연결하면 DMM은 다이오드에 점화 전위를 제공하는 반면에. 반대로 연결하면 개방회로를 나타내는 ‘OL’ 응답을 보여준다. 그림 2-3처럼 연결하면 DMM 내부의 약 2mA 정전류원이 접합부를 순방향 바이어스 시키고 실리콘에서는 약 0.7V, 게르마늄에서는 약 0.3V 전압 강하를 발생시킨다. 선들의 극성을 반대로 연결하면 OL 표시가 나타날 것이다.

두 방향에서 모두 값이 낮게(1V 이하) 나오면 접합부는 내부적으로 단락된 상태이고 두 방향에서 모두 OL이 표시되면 접합부는 개방된 것이다.

Si과 Ge 다이오드에 대해서 표2.1의 검사를 수행하라

회로 구성, 순방향 검사 Si

Ge 역방향 검사
표 2.1
검사 Si Ge
순방향 0.5768V 0.5504V
역방향 Open Open

표 2.1의 결과로부터 두 다이오드는 양호한 상태인가?
실험 결과 4148번 다이오드는 실리콘(Si) 다이오드인 것을 확인할 수 있었다. Si 다이오드의 경우, 이론적으로는 문턱전압(Threshold Voltage)은 0.7V가 되어야 하지만, 실험으로 측정된 순방향에서의 Si 다이오드의 문턱전압의 경우 0.5768V 였다. 즉, 이론값과 실험값 사이에는 약 17.6 %의 오차가 존재한다. 오차범위는 적다고 말할 수 없지만 대부분의 다이오드에 대해서 실험값들이 0.7V에 도달하지 못하고 약 0.2~0.3V의 전합강하(Voltage Drop)로 인해 0.59V 근처에서 측정되는 것으로 보아 다이오드 상태는 양호하다고 볼 수 있다. 다이오드는 게르마늄(Ge) 다이오드인 것을 확인할 수 있었다. Ge 다이오드의 경우 이론적으로는 문턱전압(Threshold Voltage)은 0.3V가 되어야 하지만, 실험으로 측정된 순방향에서의 Si 다이오드의 문턱전압의 경우 0.5504V 였다. 즉, 이론값과 실험값 사이에는 약 83.46%의 오차가 존재한다. Ge 다이오드의 경우 다이오드의 상태가 양호하다고 볼 수는 없다.

 

참고문헌

Robert L. Boylestad 외 2저,『전자회로실험 제 10판』,ITC(2011),P13~24

 

위와 같이 깔끔하게 정리가 되었나요?

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